作者：丁辛芳 单位：东南大学 出版：《东南大学学报(自然科学版)》1997年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDNDX706.0190 DOC编号：DOCDNDX706.0199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，研制成了集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能和稳定性的影响．对进一步改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能提供了一种实际的考虑．

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