作者:张光照,刘焱 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1997年第04期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1997040180 DOC编号:DOCCGQJ1997040189 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 简要介绍了利用等离子体刻蚀技术制作背面接点的离子敏场效应管(ISFET)和马赫—增德(Mach-Zehnder)干涉仪式压力传感器的方法.

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