作者：王合英,何元金 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》1997年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX1997020030 DOC编号：DOCZKKX1997020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用直流气体放电活化反应蒸发及光刻技术，在普通玻璃衬底上制备出开放式薄膜型CuO／ZnO半导体pn结。该pn结的I－U曲线呈整流特性，在室温下，正向伏安特性曲线确相对湿度的变化而改变。相对湿度增加，pn结的正向电流增大，而反向电流的变化可忽略。pn结的偏压不同，相对湿度变化所引起的电流变化不同。这种湿敏特性是由于对薄膜刻蚀图案形成的开放式pn结部分暴露于大气的结果。

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