作者:唐国洪,陈德英 单位:东南大学 出版:《电子器件》1995年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ501.0040 DOC编号:DOCDZQJ501.0049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《采用SDB/SOI衬底的PH传感器》PDF+DOC1992年第01期 陈德英 ,唐国洪 ,花秀銮 《采用SOI衬底的pH传感器》PDF+DOC1992年第03期 陈德英,唐国洪,花秀銮 《氢离子敏场效应管的研制及小型固态pH传感器》PDF+DOC1999年第01期 《微型固态库仑滴定传感器特性研究》PDF+DOC1996年第02期 陈伟平,王东红,虞惇 《电子分析天平温漂与时漂的自动补偿》PDF+DOC2000年第03期 滕召胜,郁文贤,夏胜平 《氢离子敏场效应管酶免疫传感器的研制》PDF+DOC1995年第03期 方玮,任恕,朱业湘 《高精度差动变压器式位移传感器》PDF+DOC1994年第02期 张裕悝,李继承 《高性能、实用型氢离子敏传感器的研究》PDF+DOC1992年第06期 陈德英,周天舒,唐国洪 《化学敏场效应管传感器及其栅极的制备》PDF+DOC1988年第05期 孔祥戈 《袖珍式数字PH计》PDF+DOC1986年第04期 方忠良
  • 本文介绍了一种采用硅键合SOI材料作衬底的离子敏场效应管(ISFET)型PH传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流,改善了PH传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为PH传感器的实用化开发了新的途径。

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