作者：陈德英 ,唐国洪 ,花秀銮 单位：东南大学 出版：《电子器件》1992年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ1992010040 DOC编号：DOCDZQJ1992010049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流，改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。

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