作者:孙金坛,陈军宁 单位:中国电子学会 出版:《电子学报》1994年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZXU402.0170 DOC编号:DOCDZXU402.0179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文研究了GaAsMESFET对应力的敏感特性,分析了敏感原理。对GaAsMESFET用作力学量传感器的可能性进行了讨论。

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