《GaAs MESFET的压力敏感特性》PDF+DOC
作者:孙金坛,陈军宁
单位:中国电子学会
出版:《电子学报》1994年第02期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZXU402.0170
DOC编号:DOCDZXU402.0179
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本文研究了GaAsMESFET对应力的敏感特性,分析了敏感原理。对GaAsMESFET用作力学量传感器的可能性进行了讨论。
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