作者：陈克铭,李国花,陈朗星,朱燕 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1994年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX406.0020 DOC编号：DOCBDTX406.0029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期不稳定性的原因．（二）氢离子敏ＦＥＴ传感器的稳定性，随着ＩＳＦＥＴ的制作过程中沉淀条件而变化，这也是ＩＳＦＥＴ不稳定性的另一原因．（三）缓冲溶液的ｐＨ随着测量过程和时间而变化，这也助长了氢离子敏ＦＥＴ传感器的不稳定性，但不是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ本身的不稳定性原因．我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ＩＳＦＥＴ的稳定性．这种改进稳定特性的技术在实践中是有效的．

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