作者：吴红忠,范福康 单位：中国硅酸盐学会 出版：《硅酸盐学报》1995年第02期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXYB502.0050 DOC编号：DOCGXYB502.0059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《组合结构半导体气体传感器的研究进展》PDF+DOC2004年第06期 杨留方,赵鹤云,唐启祥,赵怀志 《掺镁钛酸锶厚膜氧传感器的敏感机理研究》PDF+DOC1999年第01期 周晓华,O.ToftSφrensen,曹全喜,徐毓龙 《电阻型半导体气体传感器的概况》PDF+DOC2011年第04期 王红勤,杨修春,蒋丹宇 《具有CeO_2-ZrO_2-Y_2O_3固态参考层的新型氧传感器的制备》PDF+DOC2017年第01期 任继文,詹凌峰,蔡福兵 《液体电解质氧传感器输出特性研究》PDF+DOC2010年第08期 徐振忠,秦浩,周明军,曾固,张维维 《金属氧化物半导体气敏传感器的研究和开发进展》PDF+DOC1997年第02期 蔡晔,葛忠华,陈银飞 《(MgCoNi)O厚膜氧传感器的制备及特性研究》PDF+DOC1997年第02期 黎步银,周东祥,龚树萍,吕文中 《汽车用氧传感器》PDF+DOC 松川一二,海老泽,秋生,赵玉祥 《La部分替代Ba对YBa_2Cu_3O_(7-δ)氧传感器性能的影响》PDF+DOC2008年第01期 赵宇,张献图,郝好山,胡行 《半导体金属氧化物气体传感器灵敏性的研究进展》PDF+DOC2013年第03期 崔景慧,李强,夏金锋,冯涛

    • 研究在不同工艺条件和工作条件下Ａｌ掺杂ＳｒＴｉＯ＿３的氧敏性能。结果表明，Ａｌ掺杂ＳｒＴｉＯ＿３氧敏材料的电阻率与氧分压成指数关系，即，并且还对其氧敏机理作了探讨，提出了新的氧敏模型。根据受主杂质电离化程度理论和ＳＴＥＭ分析结果，认为Ａｌ掺杂ＳｒＴｉＯ＿３氧敏材料是体控型气敏材料，其灵敏度主要取决于电离化受主杂质浓度。不同工艺条件和工作条件会改变电离化受主杂质浓度。

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