作者:黄强,陈养民,姜志超 单位:中国仪器仪表学会 出版:《化学传感器》1992年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHXCH1992020040 DOC编号:DOCHXCH1992020049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器(简称 Br~--ISFET)它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,具有全固体化和易集成化等特点。特别是适应于生物、医学、航天、遥测和遥控等方面。该传感器经测试性能良好,其线性响应范围为:1.0×10°mol·L~(-1)~1.0×10~(-5)mol·L~(-1)NaBr,灵敏度为:56mV/PBr~-,对溴离子的检测下限为:5.0×10~(-6)mol·L~(-1)NaBr。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。