作者：黄强 ,陈养民 ,姜志超 单位：渭南师范学院 出版：《渭南师范学院学报》1988年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWOLF1988020130 DOC编号：DOCWOLF1988020139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 我们研制的Ag Br单晶溴离子敏感半导体传感器(简称Br~-—ISFET)，是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层Ag Br单晶敏感层。这种传感器，灵敏度高，稳定性好，使用寿命长，且与一般溴离子选择电极比较，还具有多功能化，全固体化和易集成化等特点。特别适应于生物，医学，航天，遥测和摇控等方面。

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