作者：武世香,虞惇,王贵华 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1991年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1991020140 DOC编号：DOCCGQJ1991020149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 随着ISFET的有关研究日益深化及器件稳定性、可靠性的不断提高，在越来越多的场合下可以用其取代传统的离子选择电极(ISE)，同时由于其小型、快速的特点，又开辟了许多新的应用领域。随之对ISFET的封装结构也提出了多方面的要求。从实用化、商品化的角度来看，不仅要求封装结构必须保证器件良好的密封

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