作者：虞惇,王贵华,武世香 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1991年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1991050120 DOC编号：DOCCGQJ1991050129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视，但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足，影响了测量精度。众所周知，对于一价离子，如按Nernst公式估算，每1mV的测量偏差大约相当于4％的浓度误差或2％的pX误差(pX=-logα_x)。对于二价离子，则误差将加倍。实际测量中温漂和滞后是比较明显的。例如pH-ISFET的温漂可达几mV/℃，滞后达数mV到十几mV，器件的时漂约为0.1～1mV/h。值得指出的是pH-ISFET的响应分为快响应和慢响应两部分，前者响应极快，一般在ms数量级，而后者可能长达数小时之久，在此期间器件的输出明显地随时间变化。由此可见，

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