作者:武世香,虞椁,王贵华 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1990年第03期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1990030120 DOC编号:DOCCGQJ1990030129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《化学量传感器》PDF+DOC1990年第02期 武世香,虞惇,王贵华 《化学量传感器》PDF+DOC1991年第01期 武世春,虞惇,王贵华 《国外半导体微生物传感器的发展动态》PDF+DOC1985年第02期 崔志武,杜萍 《氟离子敏场效应管的研制》PDF+DOC2002年第09期 张虹,韩泾鸿 《集成化离子敏场效应传感器的研究进展》PDF+DOC2008年第02期 王春华,赵岩,杨昌勇,黄岩 《离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展》PDF+DOC2007年第06期 张彩霞,马小芬,申霖,邓家春,华玉林,印寿根 《高性能、实用型氢离子敏传感器的研究》PDF+DOC1992年第06期 陈德英,周天舒,唐国洪 《离子传感器开发动向》PDF+DOC1987年第06期 李向荣 《基于ISFET的生物传感器研究进展》PDF+DOC2005年第03期 曾磊,王建业,孙晓翔,杨秋冬,黄宜平 《H~+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析》PDF+DOC2007年第01期 高俊山,林国锋,孙真和
  • 二、pH-ISFET的基本结构与工作原理 氢离子敏场效应晶体管(pH-ISFET)与MOSFET的区别仅在于后者的金属栅被氢离子敏感膜所代替,二者都是建立在半导体表面场效应基础上的器件,有许多相似之处,因而可将MOSFET的理论分析及其结果直接用于对pH-ISFET的分析上。为此,有必要首先介绍一些MOSFET的有关问题。

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