作者：王春华,赵岩,杨昌勇,黄岩 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2008年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2008020060 DOC编号：DOCBDTQ2008020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在介绍离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器的应用和基本工作原理的基础上，阐述了集成化ISFET传感器的研究现状，包括ISFET敏感膜及其制造工艺与CMOS兼容性研究、集成化读出电路、多传感器集成等方面。展望了ISFET传感器的研究趋势，认为在以下方面值得探索和研究：敏感膜是把化学变量转换为电学变量的关键；高性能读出电路的研究；集ISFET、读出电路及后端信号处理电路于一体的低功耗ISFET传感器的系统集成；多功能、智能化的多传感器集成；研究集微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源等于一体的微机电系统(MEMS)；ISFET微传感系统的数字化集成等。

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