作者:C.D.Fung ,T.R.Linkowsk ,袁璟 单位:东南大学 出版:《电子器件》1991年第01期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ1991010110 DOC编号:DOCDZQJ1991010119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《原子力显微镜传感器的微机械加工技术的研究》PDF+DOC1997年第02期 薛实福,徐毓娴,李庆祥,王晓晔,刘永生,于水 《氯酸根离子敏感化学传感器的研究》PDF+DOC2003年第05期 黄战龙 《化学传感器的新进展》PDF+DOC1997年第02期 周志刚 《用硅的自停止腐蚀方法制作硅膜》PDF+DOC1994年第02期 黄庆安,秦明,张会珍,童勤义 《化学传感器在工业中的应用》PDF+DOC1993年第03期 N.Graber,范仁春 《工业用化学传感器的现状》PDF+DOC1992年第04期 N.Blom,茅祖兴 《三轴压电晶体角速率传感器》PDF+DOC1985年第05期 张福学 《基于FPGA新型压电化学传感器的设计与实现》PDF+DOC2011年第03期 王峰,赵又新 《化学传感器和纳米传感器新材料的应用现状》PDF+DOC 高玲,史丽英,王英 《基于硅悬臂梁谐振器的新型气体传感器(英文)》PDF+DOC2006年第04期 郝一龙,徐佳嘉,张国炳,武国英,闫桂珍
  • 湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都

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