作者：思铮 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》1992年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS1992040190 DOC编号：DOCGDJS1992040199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 日本三菱电机公司已制成1040&#215；1040(约100万)像素的红外摄像器件(波长为3～5μm)。在光电转换部分采用 PtSi 势垒二极管，并用 CCD 传输电荷。目前，日本电气等公司已制成40万像素的器件，红外摄像器件(获取被摄体发出的红外线传感器)，用于监视摄像机和温度计。可检出器件的温差为0.1K(被摄体的环境温度为300K，器件冷却到80K)。每1cm~2的暗电流为7.9nA(环境温度为77K)，耗散功率为300mW。CCD 传输时钟频

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