《星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应研究》PDF+DOC
作者:曹中祥,钟红军,张运方,李全良
单位:北京控制工程研究所
出版:《空间控制技术与应用》2018年第06期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFKJKZ2018060070
DOC编号:DOCKJKZ2018060079
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对星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应进行研究,机理分析及总剂量试验结果表明像素暗电流及暗电流不一致性随总剂量增加而增加,像素光强响应及满阱容量随总剂量增加而降低.进一步分析得出星敏感器星点定位误差随辐照总剂量增加而增大,在100krad(Si)总剂量下,星点定位误差相比辐照前增加约3倍.结合器件总剂量效应退化机理,提出星敏感器在轨使用时器件采用增加像素内传输管电荷转移的开启时间、提高传输管的控制电压以及提高像素的复位电压等措施,可以降低由于总剂量效应导致星敏感器的星点定位误差增加。
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