作者：刘付德,梁子南 单位：上海大学 出版：《应用科学学报》1991年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYYKX1991020030 DOC编号：DOCYYKX1991020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO_3传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜，并制成了一维纵模微波换能器，还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB，带宽(3dB)为13％.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜，由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13，这个结果略小于块材AlN的值，可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻，它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因。

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