作者：西村正,蒋庆全 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》1989年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS1989030140 DOC编号：DOCGDJS1989030149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、引言以微细加工技术进步为中心发展起来的超大规模集成电路(VLSI)的最小加工尺寸进入了亚微米领域，人们逐渐认为其高集成度似乎将达到极限.为了突破这一极限，对器件结构的三维化进行了尝试，这种三维结构器件是在传统的平面进行加工，增加诸如以沟道为基础的各种分离和存储器单元，或者堆积型结构存储器单元等.三维电路器件进一步发展了这种想法，在传统属于单层的IC层上夹入绝缘层，使之多层层叠化，就是企图借助迅速提高集成度或功能复合化之类的方法来实现新功能器件.而且，

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