作者：马松涛,钟广学 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1987年第Z1期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1987Z11350 DOC编号：DOCCGQJ1987Z11359 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 半导体材料与一般金属温差电材料相比，具有大得多的温差电动势率和小的导热率以及小的电阻率。对于通常用于检测温差的传感器来说，这是一些很重要的特性。性能较佳的n-Bi_2Te_3&#183；Se_2Te_3材料，具有如下的数据：热导率为1.4&#215；10~(-2)W/cm&#183；&#176；C；电阻率为 1.1&#215；10~(-3)Ω&#183；cm；温差电动势率为210μV/&#176；C。p-

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