作者：黄强,李智民 单位：中国仪器仪表学会 出版：《化学传感器》1989年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHXCH1989030040 DOC编号：DOCHXCH1989030049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文报导的高锰酸根半导体传感器(简称 MnO_4~- ——ISFET)是以乙基紫—MnO_4~- 缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础发上展起来的又一化学半导体传感器，是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单，并且具有半导体传感器的固有特点，如微型化，系列化，易集成化和多功能化等。该传感器对 MnO_4~- 浓度在1&#215；10~(-1)—1&#215；10~(-5)M 范围内呈能斯特响应，斜率为59mv/PMnO_4~-(17℃)，检测下限为3&#215；10~(-6)M。

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