作者：李毅,张舟娜,蔡巍,高小明,王平 单位：浙江大学 出版：《浙江大学学报(工学版)》2010年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZDZC2010060380 DOC编号：DOCZDZC2010060389 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 通过不同浓度溶液的试验，对一种新型聚氯乙稀(PVC)薄膜汞离子敏感光寻址电位传感器进行了研究，PVC薄膜中的敏感物为5-amino-1，3，4-thiadiazole-2-thiol.采用硅烷化反应对光寻址电位传感器进行表面修饰，硅烷化前后的器件对单位pH(氢离子)的灵敏度分别为每67.299mV和4.9996mV，线性相关系数分别为0.9831和0.9877.PVC膜成聚后，该传感器对汞离子有选择性的电位响应特性，显示了良好的重复性和稳定性，单位pHg(汞离子)的灵敏度为15.381mV，线性相关系数为0.9629，对其他离子的抑制比大于4.实验得到的检出下限为1.57μg/L，响应时间为2～4s，适用pH范围为3～6。

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