作者:孟涛 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1985年第03期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS1985030130 DOC编号:DOCYBJS1985030139 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 据1984年11月号《西门子元件》杂志报道,西门子公司最近生产了一批基于压阻效应的硅压力传感器。它可用在测量、控制与调节技术中,其测压范围可从2千帕至40兆帕。据报道,这种压力传感器适合用于在低压、中压及高压范围进行相对压力测量。 1.KPY31R~KPY35R硅压力传感器,低压范围为≤50千帕(≤500毫巴),特点是:①负荷变化冲击强度高;②线性度好,灵敏度高;③采用氮化硅钝化,可靠性高;④温度及压力滞后特别小;⑤结构紧凑。

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