作者：毕精会 单位：太原科技大学 出版：《太原科技大学学报》2015年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFTYZX2015040170 DOC编号：DOCTYZX2015040179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了实现恶劣环境下的精密仪器和精确测量，适应于恶劣环境下的压力传感器的需求大大增加。首次报道单根氮化硅纳米线的横向压电效应。在不同压力负载下，采用导电原子力显微镜(CAFM)对单根氮化硅纳米线进行压阻效应测量。计算得到横向压电效应的系数在1.8~7.5&#215；10-11Pa-1范围内。压电电阻系数和负载压力之间的关系几乎是线性的。稳定和可重复的电流-电压曲线通过多次循环往复测量完成，表明氮化硅纳米线压力传感器是相当可靠的。

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