作者:刘德滨,刘庆国,刘常升 单位:哈尔滨电工仪表研究所有限公司;中国仪器仪表学会电滋;测量信息处理仪器分会 出版:《电测与仪表》1987年第01期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDCYQ1987010150 DOC编号:DOCDCYQ1987010159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文阐述了利用半导体片的霍尔效应制成的μm级位移传感器,达到了日本同类传感器的技术水平。把它与加热炉和拉杆式石英夹持机构等组装成热膨胀系数测量装置,对低膨胀合金Fe—Ni~(82)C~4Nb等试样进行测量,结果表明该位移传感器适合于中低热膨胀系数的测量。若再改进,有希望用于超低热膨胀系数的精密测量。

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