作者：傅敏恭,钟仕科,陈凯旋 单位：南昌大学 出版：《南昌大学学报(理科版)》1988年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFNCDL1988020020 DOC编号：DOCNCDL1988020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文报导了以S_nO_2、Z_nO和γ—F_(?2)O_3三种半导体金属氧化物按一定比例混合后作为基体材料制成的气敏元件，实验表明，这种元件对C_4H_(10)敏感

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