作者:刘凤敏,陈丽华,全宝富 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2007Z10970 DOC编号:DOCBDTQ2007Z10979 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 利用化学沉淀法制备了In2O3粉体,采用X射线衍射(XRD)的方法得到了粉体的晶体结构,颗粒尺寸为纳米量级。以In2O3为基体材料,制作了烧结型旁热式气敏元件,通过固相掺杂的办法改善元件的气敏特性。在低于100℃的工作温度下,通过对SO2,CO,CH4,Cl2,NO2五种气体的检测,发现分别以质量分数为2%PdCl2和5%CeO2为掺杂剂的元件对NO2气体均表现出较好的敏感性,对SO2,CO,CH4,Cl2四种干扰气体的灵敏度较低,表明元件具有良好的选择性。

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