作者：郭秀芬 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》1986年第02期 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG1986020040 DOC编号：DOCYDSG1986020049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍了新型电子薄膜材料非晶态硅的特性，制作方法以及利用非晶态硅薄膜各种特性的应用器件。

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