《立方相SiC MEMS器件研究进展》PDF+DOC
作者:杨挺,孙国胜,吴海雷,闫果果,宁瑾,赵永梅,刘兴昉,罗木昌,王雷,赵万顺,曾一平
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《微纳电子技术》2010年第07期
页数:10页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTQ2010070090
DOC编号:DOCBDTQ2010070099
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主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。
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