作者:黄鸿雁 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1987年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1987020100 DOC编号:DOCCGQJ1987020109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体压力传感器与微机的相接》PDF+DOC1998年第04期 《微型多晶硅膜电容式压力传感器的研制》PDF+DOC1994年第02期 朱静远,茅盘松 《多晶硅敏感技术(连载五)》PDF+DOC1994年第05期 王善慈 《硅-兰宝石集成压力传感器原理及制作工艺》PDF+DOC1988年第03期 魏祥毓,吴福贵 《半导体压力传感器电路》PDF+DOC1987年第04期 张国力 《压力传感器》PDF+DOC1986年第04期 松岡祥隆 ,保川彰夫 ,宋尔纯 《厚膜压力传感器》PDF+DOC1987年第04期 A.DIFLORE,MRHASKARD,刘淑兰 ,高春芝 ,刘兰芳 《扩散硅压力传感器》PDF+DOC1983年第01期 彭斯福 《集成MOS力敏运放压力传感器》PDF+DOC2001年第04期 岳瑞峰,刘理天,李志坚 《半导体压力传感器研制现状与开发动向》PDF+DOC2007年第07期 宋晓辉,任道远
  • 利用膜片上的n沟道增强型MOSFET和径向排列的n~+扩散电阻器研究了兰宝石—硅膜(SOS)的压阻效应。SOS材料上的扩散电阻器由压力产生的电导变化与块状硅片上的相差不大。但SOS材料和块状硅片上的MOSFET的结果却有明显区别。根据反型层的变形势能理论和表面量子效应进行了理论探讨,得出如下结论:实验结果可以用SOS材料中的余应变效应加以解释。所观察到的特性表明,作为压力传感器使用SOS材料有良好的性能。

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