作者：柳连俊,张维新 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1988年第01期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ1988010170 DOC编号：DOCBDTJ1988010179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 传感器是近几年发展起来的一门新兴技术.它可用来替代人的感官，将一系列外界的刺激变为电信号，从而为自动处理设备或计算机控制系统提供必要的信息.半导体气敏传感器作为一种主要的传感器件，已经在人们的家庭生活，社会公共设施，自动控制及国防现代化方面得到了广泛应用，从而越来越为各界所重视.1975年，瑞典的I.LUndstr‘o’m利用Pd金属作为栅极材料制成了一支氢敏MOS传感器.后来Armagarth等人又指出这种器件对H_2S及NH_3也有一定的敏感特性.但多年来，这种Pd栅MOSFET气敏传感器一直是在高温下使用(≥150℃)，这不仅给器件的使

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