作者：邱延辉 单位：中国电子科技集团公司第48研究所 出版：《微细加工技术》1988年第01期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXJS1988010120 DOC编号：DOCWXJS1988010129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时，衬底温度一般在100—400℃范围内，控温精度为&#177；5℃左右。在通常的使用环境中，这是不难实现的。但对等离子体淀积设备而言，测温对象处于十几兆赫(典型频率为13.56MHz)的射频环境中，对温度传感器、控制器有很强的电磁辐射干扰。我们在研制这种使用环境下的温度控制器方面进行了一些探索，本文报道这方面的工作。

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