《S枪磁控溅射Ni薄膜晶粒结构与导电特性的研究》PDF+DOC

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2. 《铜薄膜电阻温度传感器的研制》PDF+DOC 本文分析了铜膜电阻温度传感器的工作原理，介绍了光刻掩模板的图形设计和制造工艺，并对实验结果进行了讨论。...
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4. 《铜膜温度传感器的研制》PDF+DOC 本文根据对铜膜温度传感器的研制，阐述了基片(微晶玻璃基片、硅玻璃基片、陶瓷基片)；真空蒸发工艺条件(烘烤电流及其温度、真空度，蒸发电流及其时间)；热处理条件(温度、时间)等对铜膜电性能的影响，介绍了高精度铜膜温度传感器的最佳工艺条件。...
5. 《低温等离子体薄膜淀积装置温度控制器》PDF+DOC 薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时，衬底温度一般在100—400℃范围内，控温精度为&#177；5℃左右。在通常的使用环境中，这是不难实现的。但对等离子体淀积设备而言，测温对象处于十几兆赫(典型频率为13.56MHz)的射频环境中，对温度传感器、控制器有很强的电磁辐射干扰......
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7. 《关于镍薄膜热电阻研制的几个问题》PDF+DOC 就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨 ，实验结果表明 ：可以选用国产 0号镍 ，采用 S-枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻 ；合适的热处理工艺是保证电阻温度系数α值及其一致性的关键 ；运用保护膜技术可以提高镍薄膜热电阻温度传感器的长期稳定性...
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10. 《直流反应磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究》PDF+DOC 采用直流反应磁控溅射法，在未抛光的A l2O3基片上制备WO3薄膜，在干燥空气中经过热处理；利用SEM观察薄膜表面形貌；通过XRD测量，对薄膜的晶体结构进行分析；薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理，当工作温度在270℃时，对体积分数为3&#215；10-4氢气的灵敏度达到了7......