作者：于克南,舒纯刚,何野,魏同立 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》1988年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ1988040170 DOC编号：DOCGTDZ1988040179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文提出了一种新型、高灵敏度的磁敏传感器——劈裂漏结型场效应管。分析表明，该器件工作在“夹断”状态时，沟道中具有最强的电场及霍尔效应；相对灵敏度与迁移率成正比，并与器件几何结构有关。计算机模拟证实了这一结果。与灵敏度较高的劈裂漏MOS管相比，由于结型场效应管中的迁移率为体迁移率，较表面迁移率高，因而具有更高的灵敏度。且器件具有较好的稳定性和噪声特性，适于集成，因而有广阔的应用前景。

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