作者：M.F.Tompsett,童镇溥 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》1982年第02期 页数：19页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ1982020040 DOC编号：DOCBDTQ1982020049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《弯曲沟道CCD线摄象传感器》PDF+DOC1979年第01期 HIDEO SEI,YOSHIHIRO MIYAMOTO,孙志君 《转移效率高达99.996%的线阵CCD传感器》PDF+DOC1980年第06期 奇杰 《电视摄象器件发展概述》PDF+DOC1982年第01期 蒙义伯 《SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性》PDF+DOC2017年第02期 张林,杨小艳,高攀,张赞,胡笑钏,高恬溪 《SSPD器件及其应用》PDF+DOC 孟爱萍,林勇,周晓燕 《Ag~+ -ISFET传感器的研制》PDF+DOC1990年第02期 祁增芳,刘俊华,牛文成 《DL44型硅CCD2500元线阵图象传感器的设计考虑》PDF+DOC1985年第05期 陈义飞 《简讯》PDF+DOC1986年第03期 《第二代红外前视系统(FLIRs)用的传感器》PDF+DOC1980年第03期 龚裕才 《图像传感器单粒子效应脉冲激光实验研究》PDF+DOC2014年第03期 曹洲,把得东,薛玉雄,高欣,安恒,陈世军,翟厚明

    • 一、引言电子束扫描摄象管的历史在前一章中已经提到了。虽然这些器件采用固态半导体靶，但还不能把它们当作固体摄象传感器。这一名称专门留给自扫描器件，即用加于光敏材料本身的电脉冲来读出存贮的光生电子。在这一章，我们将讨论主要用于可见光的摄象传感器。今天，这些传感器采用MOS集成电路行业的制造工艺，以单晶硅进行专门的制作。实际上，该工艺的早期发展促进了这些器件的发明，而将这些器件用作有1/4mil图象单元的电视摄象器则是该工艺的最新发展。因此，本章的一个题目是关于制造只需一瓦功率、袖珍计算

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