作者：韩凌 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》1983年第01期 页数：11页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS1983010050 DOC编号：DOCGDJS1983010059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以传真系统发送部分的小型化和低成本为目标，正在活跃地进行密着型图象传感器的研制。这种传感器和原稿的尺寸(长度)相同，与以往使用CCD或MOS型图象传感器的场合相比，无需缩小原稿用的高性能透镜系统。至今所研制的密着型传感器中都是使用CdS—CdSe、Se—As—Te、si等非晶膜作为光电变换单元，在制作方法上都能方便地制成大型图象传感器。在原稿面和光电变换部分之间的光路(约20毫米)上多数都采用聚焦棒状透镜阵列。使用CdS—CdSe的传感器虽已进入实用阶段，但读出速度要提高到每线10毫秒的高速很困难。因此最近试制使用非晶Si：H传感器的事例很多。读出速度可达每线1毫秒，几乎赶上“热记录头”的最高记录速度。非晶Si：H的研制还刚开始，今后的课题是再现性和可靠性。

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