作者:夏姿 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1977年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS1977010060 DOC编号:DOCYBJS1977010069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新 《半导体动态传感器》PDF+DOC1989年第05期 杜宗华 《半导体双轴力传感器的设计》PDF+DOC2010年第11期 徐冬,张宁,董玉荣,卫学峰 《低温半导体机械传感器》PDF+DOC2006年第04期 李刚,李旭,朱雪,陈宝忠 《2016年半导体行业趋势:5G、传感器、快充、GaN》PDF+DOC 《纳米应变计在称重测力传感器上的应用》PDF+DOC2016年第11期 沈力 《新型电阻——频率变换器设计》PDF+DOC2000年第03期 余学锋,文海,于洁 《500tf幅孔式荷重传感器的研制与应用》PDF+DOC1984年第02期 马平忠,吴世昭 《电涡流式微压计》PDF+DOC1984年第12期 钱浚霞 《微加热板式半导体微气压传感器的测试》PDF+DOC2004年第08期 郭文泰,金仁成,王海霞,高仁璟,张凤田,余俊,于耀东,张天超
  • 最近十年,尤其是近几年来,在利用半导体中的应变电阻效应来测量各种机械参数方面的工作有了显著的增加。这个效应在1954年就被斯密特发现了,起初是基于单晶的锗和硅,而后较晚才发现了大量的A~(III)B~v和A~(II)B~(VI)型的半导体化合物。对半导体的应用特别感兴趣的是:以应变电阻效应的数值超过半导体材料类似效应的10倍为前提,并早已成功地应用到技术测量中去了。例如,与比电阻和导电类型有关的硅的应变灵敏度值,在50~200范围内,超过康铜应变灵敏度的25~100倍。同时,应用半导体应变电阻时,在电应变计中习惯采用的方法和测量线路,不需要有变化。其次,由于将可能实现系极的大输出讯号,对该测量系统不仅适用

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