作者：贾鸿智 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》1980年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ1980040010 DOC编号：DOCHWYJ1980040019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 巳制成一种三相多晶硅栅结构的线型电荷耦合摄像器，该固体摄像器具有128光敏单元。图像信息采用双信道传输，片上放大器采用 p 沟道硅栅自对准 MOS管。在100千赫的驱动频率下测得的电注入转移效率达到99.994％。本器件的制作采用了较先进的工艺步骤。

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