作者：曹洲,把得东,薛玉雄,高欣,安恒,陈世军,翟厚明 单位：中国航天科技集团公司第五研究院510研究所 出版：《真空与低温》2014年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKDW2014030030 DOC编号：DOCZKDW2014030039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对设计研制的512&#215；512 CMOS APS图像传感器，采用聚焦脉冲激光束研究了其空间单粒子效应特性。试验结果表明，CMOS APS器件图像传感器存在单粒子翻转(SEU)和单粒子锁定(SEL)现象。验证了CMOS APS图像传感器抗单粒子锁定设计的有效性。当对图像传感器移位寄存器区进行照射时，同时发生单粒子翻转和单粒子锁定，器件其它区域也有类似现象。分析了器件单粒子效应的敏感性，获得了器件发生单粒子翻转和锁定的脉冲激光能量阈值及器件锁定电流大小。

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