作者： 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》1983年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG1983030130 DOC编号：DOCYDSG1983030139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 最近，美国Rensselaer工业研究所介绍了一种检测半导体样品表面性能的新技术.此技术是通过测量SAW延迟线振荡器的频移可以在氧化的半导体样品上检测表面电荷与表面电位的关系.这种测量使用了两种结构形式，见图1(a)、(b).图中，SAW延迟线制作在LiNbO_3基片上，并与放大器和反馈回路相连接，以便构成在100兆赫下振荡的振荡器.测量时把直流电压加到半导体Si片上，此时SAW振荡器成为测量频移/直流电压关系的敏感元件，

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