作者：杨华明,杜春芳,欧阳静,张向超,苏晓辉 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2005年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2005040010 DOC编号：DOCBDTQ2005040019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO_2气敏传感器的特性与应用；详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO_2气敏性的影响，通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数；利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理；展望了SnO_2气敏传感器的发展前景。

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