《准全方位InSb-In磁阻式振动传感器》PDF+DOC
作者:王蕊,黄钊洪
单位:北京信息科技大学
出版:《传感器世界》2005年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGSJ20050200A0
DOC编号:DOCCGSJ20050200A9
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本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的 InSb-In 磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件,输出信号相位差在 00~1800 之间,信噪比在 30dB~32dB 范围内。当温度-400C~800C 之间变化时,信号处理电路输出稳定可靠。
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