作者：黄钊洪 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2001年第07期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2001070020 DOC编号：DOCCGQJ2001070029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ，并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ，待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ，输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ，并且两者之间有比较好的线性关系 ，标准偏差 &lt；0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) ：1。

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