作者：王磊,杜军,毛昌辉,杨志民 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》2006年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX2006060160 DOC编号：DOCZKKX2006060169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用磁控溅射技术在SnO2薄膜表面修饰金属Ni，研究Ni修饰量对SnO2薄膜气敏性能影响。对Ni-SnO2薄膜进行表面成分分析，发现Ni的表面含量和化学价态对Ni-SnO2薄膜气敏性能影响至关重要。Ni的表面修饰量在3.4%~8.8%之间将有效提高SnO2薄膜对低浓度氢气的敏感性能。180℃工作温度下，表面含Ni 3.4%的SnO2薄膜对1000 ppm的氢气灵敏度最高为59.6，同时响应时间和恢复时间降低至15 s和125 s。Ni修饰量增加到23.4%，薄膜的气敏性能恶化，这是因为修饰层过厚，阻碍气体与SnO2材料接触。同时，XPS证实NiO是增加SnO2薄膜气敏性能的主要物质，增敏机理解释为Ni氧化后形成的NiO在SnO2薄膜上形成p-n结，促进元件的电导变化，从而提高了薄膜的气敏性能。

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