作者:席盈 单位:中国科学技术信息研究所 出版:《高技术通讯》1991年第08期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGJSX1991080090 DOC编号:DOCGJSX1991080099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 英国爱丁堡大学电气工程系G.Wang等人研制成单片CMOS(互补金属氧化物半导体)

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