作者：门洪,邹绍芳,王平,Andrey Legin,沈静琴,许祝安 单位：浙江大学 出版：《浙江大学学报(工学版)》2005年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZDZC20050400U0 DOC编号：DOCZDZC20050400U9 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于脉冲激光沉积(PLD)技术在光寻址电位传感器(LAPS)表面上制备了Fe Ge Sb Se硫系玻璃薄膜，合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8，在Si/SiO2 基质上的金属层为Cr/Au，硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感，显示了良好的重复性和稳定性.在1&#215；10-5 ~1&#215；10-2 mol/L呈现线性，斜率为(56&#177；2) mV/decade，检测下限为5&#215；10-6mol/L，当浓度高于1&#215；10-4 mol/L时，响应时间不超过40 s；当低于此浓度时，响应时间不超过2 min。

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