作者：胡卫军,李毅,邹绍芳,王平,Andrey Legin 单位：浙江大学 出版：《浙江大学学报(工学版)》2008年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZDZC2008020190 DOC编号：DOCZDZC2008020199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用用于镉离子选择电极的硫属玻璃(Cd-Ag-As-I-S)制备敏感材料，结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点，在光寻址电位传感器表面上沉积对镉离子敏感的薄膜材料，研制了一种新型镉离子敏感薄膜传感器.该传感器基底为N型单晶硅片，金属接触层为Cr/Au.通过实验得出该传感器的检出下限为1.15&#215；10-7mol/L，响应时间小于2 min，适用溶液pH范围为4~7，具有测量快速灵活、所需样品少、测量下限低等特点.该传感器对干扰离子具有较好的抑制能力.该传感器采用交流光激发电流信号进行测量，相对于离子选择电极，灵敏度得到了提高.实验结果表明脉冲激光沉积方法是制备薄膜微型传感器的一种新的有效手段。

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