作者:尤佳骏,耿欣,吴雨晴,张超 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2016年第10期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2016100020 DOC编号:DOCDZAL2016100029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《氧化钨纳米线气敏传感器的制备及其室温NO_2敏感特性》PDF+DOC 赵博硕,强晓永,秦岳,胡明 《氧化钨基半导体气体传感器的研究进展》PDF+DOC2016年第01期 王杰,耿欣,张超 《高性能金属氧化物基气敏材料研究及应用》PDF+DOC2016年第03期 侯雪梅,赵学伟,段里仁 《半导体气敏材料的研究现状与发展趋势》PDF+DOC2017年第35期 赖小勇,郭茹 《In_2O_3基纳米材料气敏性能研究综述》PDF+DOC2020年第02期 严超,杨方源,杨占金,匡代洪 《CeO_2气敏材料的研究进展》PDF+DOC2020年第04期 殷越,王丁 《基于金属氧化物的乙醇检测气敏材料的研究进展》PDF+DOC2019年第07期 张晓,徐瑶华,刘皓,魏峰,苑鹏 《In_2O_3纳米材料气敏传感器制备方法综述》PDF+DOC2020年第18期 刘子豪,彭立安,冶小芳,贾翠萍 《金属氧化物气敏传感器》PDF+DOC2007年第05期 刘湘军,谭湘倩,浣石 《H_2S气体传感器的制备及性能研究》PDF+DOC2004年第04期 娄向东,贾晓华,席国喜
  • 氧化钨(WO_3)基半导体气体传感器对NO_2等气体具有较好的气敏特性。为了将传感器工作温度降低至室温,研究者们尝试了各种方法,如合成新型纳米材料、紫外光和可见光照射等。主要介绍了近年来WO_3基气敏材料在室温条件下其气敏性能的最新研究进展,展现了近年来WO_3基室温气体传感器的最新研究成果。并提出通过合成具有p-n异质结构的材料、开发新型纳米结构、增加材料中氧空位浓度以减小材料带隙宽度有可能是WO_3室温气体传感器下一下阶段的研究重点。

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