作者:苗智颖,秦霞,邵学广,陈强 单位:中国微米纳米技术学会;天津大学 出版:《Nanotechnology and Precision Engineering》2016年第05期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFNMJM2016050050 DOC编号:DOCNMJM2016050059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为了加快银纳米线材料的合成速度,在制备过程中利用L-半胱氨酸作为反应过程中形成Ag2S胶体的硫源,将合成银纳米线的前驱体硝酸银的浓度提高到了1 mol/L,利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪对制备的银纳米线材料进行了表征,利用循环伏安法和电化学阻抗法对银纳米线修饰的铂电极电化学性能进行了研究.结果表明:L-半胱氨酸的引入可以明显降低体系中硝酸的浓度,提高银纳米线的产量,使得银纳米线的合成时间降低到20 min;电化学实验结果表明:制备的银纳米线材料具备良好的电子传递能力、较大的比表面积和较强的电化学性能,利用这些特点有望改善无酶传感器的性能。

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