作者：杨保和,孙以才,孙伟,李燕,潘鹏,常明 单位：天津理工大学 出版：《光电子·激光》2003年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDZJ2003070010 DOC编号：DOCGDZJ2003070019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 金刚石膜压力传感器是在本征金刚石膜片上沉积4个掺杂金刚石膜压敏电阻，4个压敏电阻所在部位的膜厚度是压敏电阻和本征金刚石膜片厚度相加，它不同于利用扩散掺杂工艺形成的硅压力传感器，后者的4个掺杂压敏电阻和本征硅组成一个均匀的平面。我们发现，压敏电阻的形状对承载膜应力、应变分布及承压强度至关重要，提出了电阻条圆角设计方案，从而优化了电阻条形状及长、宽、厚尺寸设计，获得了具有高承压强度、输出稳定性好的金刚石膜压力传感器。

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